Tranzistor: N-MOSFET; unipolární; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Kód zboží:
3000317300
Výrobce:
Infineon
EAN:
Dostupnost:
Hlavní sklad:
ihned k odeslání
na prodejně 15 ks
Cena bez DPH:
41,14 Kč
Cena s DPH:
49,78 Kč
Lze objednat jen 15 ks
Výrobce: INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistoru: N-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarizace: unipolární
Napětí drain-source: 100V
Proud drainu: 42A
Ztrátový výkon: 160W
Pouzdro: TO220AB
Napětí gate-source: ±20V
Odpor v sepnutém stavu: 36mΩ
Montáž: THT
Náboj hradla: 73,3nC
Druh kanálu: obohacený
IRF1310NPBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolární; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Výrobce: INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistoru: N-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarizace: unipolární
Napětí drain-source: 100V
Proud drainu: 42A
Ztrátový výkon: 160W
Pouzdro: TO220AB
Napětí gate-source: ±20V
Odpor v sepnutém stavu: 36mΩ
Montáž: THT
Náboj hradla: 73,3nC
Druh kanálu: obohacený
IRF1310NPBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolární; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Výrobce: INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistoru: N-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarizace: unipolární
Napětí drain-source: 100V
Proud drainu: 42A
Ztrátový výkon: 160W
Pouzdro: TO220AB
Napětí gate-source: ±20V
Odpor v sepnutém stavu: 36mΩ
Montáž: THT
Náboj hradla: 73,3nC
Druh kanálu: obohacený